Extreme Temperature Modeling of AlGaN/GaN HEMTs

نویسندگان
چکیده

برای دانلود رایگان متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

Hydrodynamic Modeling of AlGaN/GaN HEMTs

For the needs of high electron mobility transistors (HEMTs) optimization a reliable software simulation tool is required. Due to the high electric field in the device channel a hydrodynamic approach is used to properly model the electron transport. We modify an existing hydrodynamic mobility model in order to achieve a better agreement with Monte Carlo (MC) simulation data and measured DC and A...

متن کامل

ADVANCED LARGE-SIGNAL MODELING OF GaN-HEMTs

For improved non-linear modeling of AlGaN/GaN high electron mobility transistors, a largesignal model originally developed for GaAs-based devices has been extended by introduction of a thermal sub-circuit to account for self-heating. Thereby, DC output characteristics which typically show negative output conductance at a high dissipating power level are well reproduced. Since self-heating also ...

متن کامل

Noise Parameter Modeling of HEMTs and Nanometer-Scale CMOS Transistors

Closed-form expressions for the gateleakage resistance, Rp and its associated noise temperature, Tp, are presented. Tp represents the noise contribution caused by the gate-current Ig. Both Rp and Tp are expressed as functions of the measured noise parameters Rn, Fmin and Zopt. We present both frequency independent expressions and frequency dependent equations and discuss their accuracy. Unique ...

متن کامل

Modeling and Characterization of In0.12al0.88n/gan Hemts at Elevated Temperatures

Promising material properties of GaN, e.g., wide bandgap, high saturation velocity, and high thermal stability, make it an excellent material for high-power, high-frequency, and high-temperature applications. For some specific applications which require the device to operate at elevated temperatures, modeling and simulation provide very meaningful insights about the thermal device behavior. In ...

متن کامل

مدل بندی مقادیر کرانی خسارت های بیمه درمان (مطالعه موردی شرکت بیمه ایران) modeling health insurance claims with extreme observations (the case study of iran insurance company

در مدل بندی خسارت های بیمه درمان، مخصوصاً زمانی که شامل خسارت های با مقادیر بالا باشد، توزیع هایی که به صورت مرسوم مورد استفاده قرار می گیرد پیش بینی های خوبی بر روی خسارت های پایین انجام می دهد درموردخسارت های بالا کاربرد خوبی ندارد. یکی شیوه جهت رفع این مشکل این است که فقط بررسی را روی خسارت های بالا انجام دهیم و آن ها را توسط تابع توزیع پارتو تعمیم یافته مدل بندی کنیم. که این نظریه توسط تئور...

15 صفحه اول

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: IEEE Transactions on Electron Devices

سال: 2020

ISSN: 0018-9383,1557-9646

DOI: 10.1109/ted.2019.2960573